CMC材料申请用于高多晶硅处理率化学机械抛光的基于胺的组合物专利, 提供化学机械抛光组合物

金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，CMC材料有限责任公司申请一项名为“用于具有高多晶硅处理率的化学机械抛光(CMP)的基于胺的组合物”的专利，公开号CN120187812A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)二氧化硅研磨剂；(b)基于胺的化合物，其中所述基于胺的化合物包含约1:1至约3:1的碳:氮比；(c)任选的缓冲剂；和(d)水，其中所述抛光组合物具有约9至约12的pH。本发明还提供一种使用本发明的抛光组合物来化学机械抛光衬底、尤其包含多晶硅的衬底的方法。

本文源自：金融界